上海大学赵玉峰教授团队AM:用于高倍率和低温钠离子电池的锌单原子调节硬碳材料
研究背景
由于钠离子电池(SIBs)丰富的钠资源和良好的电荷存储能力,被认为是最具竞争力的电网储能设备候选之一。硬碳(HC)作为首选的SIBs负极引起了人们的极大关注,据报道,其能够在合适的石墨微区和纳米孔内储存Na。到目前为止,已经进行了许多尝试来提高硬碳的电化学性能,包括扩大层间距离以使Na+能够快速(脱)嵌入石墨微区中;优化所述多孔系统以提高Na+/Na团簇在合适的孔内的储存;以及引入杂原子(例如N、S、F等)或缺陷以提供更多的电荷吸附位点等。最近,这些工作被总结为碳p带中心操作,以平衡Na+吸附能和传输势垒,这通常可以通过改变碳前驱体或煅烧温度来实现。然而,调控硬碳微观结构的传统方法遇到了瓶颈,倍率性能和初始库伦效率(ICE)或比容量之间的平衡,以及其不满意的低温(LT)性能,仍然是阻碍了硬碳的实际应用。
内容简介
硬碳(HC)作为钠离子电池(SIBs)最商业化的负极材料之一,必须解决倍率性能与比容量或初始库伦效率(ICE)之间的平衡,而对低温下的快速性能下降(LT)的了解仍知之甚少。文章报道了通过Zn原子掺杂对硬碳的界面/本体电化学的全面调控,其表现出创纪录的高可逆容量(546 mAh g-1)、良好的初始库伦效率(84%)、显著的倍率性能(140 mAh g-1@50 A g-1)和优异的低温(LT)容量(443 mAh g-1@-40°C),优于现有技术文献。文章表明,Zn掺杂通常可以诱导局部电场,实现快速的Na+传输,同时催化NaPF6的分解,形成坚固的富无机固体电解质界面(SEI),这阐述了电化学性能提高的潜在原因。重要的是,与室温不同,电解质的固有Na+迁移/去溶剂化能力被揭示为在LT下SIBs性能的关键速率决定因素。这项工作提供了对不同温度下电荷存储动力学的基本理解。相关成果以“Zinc Single-Atom Regulated Hard Carbons for High Rate and Low Temperature Sodium Ion Batteries” 为题发表在国际著名期刊Advanced Materials上,文章的第一作者是Zhixiu Lu,通讯作者是上海大学赵玉峰教授。
文章亮点
1.所获得的HC材料表现出创纪录的高可逆容量(546 mAh g-1@0.05 A g-1)、倍率性能(140 mAh g-1@50 A g-1)。所构建的全电池提供323 Wh kg-1的高能量密度和7.02 kW kg-1的大功率密度(基于两个电极上的总活性质量)。
2. 揭示了在从室温到-40℃的不同温度下影响钠储存行为的潜在因素。这项工作展示了对原子金属掺杂HC性能增强机制的基本解释,并揭示了进一步提高LT性能的可能方法。
主要内容
通过典型的两步工艺,包括前驱体合成和碳化策略,成功合成了锌原子调节的硬碳(表示为Zn-HC),如图1a所示,其中2,4-二氨基苯酚甲醛树脂(DAFR)分别作为C和N前驱体,乙酸锌(II)作为Zn的前驱体。在此过程中,Zn2+首先与DAFR链上的-NH2-基团配位,从而均匀分散在DAFR链(表示为Zn-DAFR)上。在氩气保护下,将Zn-DAFR在1300°C下进一步热解,形成最终产物。通过消除Zn前驱体,在相同条件下制备对照样品(表示为HC)。通过扫描电子显微镜(SEM)对所制备的样品的形态进行了表征,Zn-HC和对照样品具有相似的堆叠微球形态,表面光滑(图1b)。从高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)图像中,观察到无数亮点,并均匀分布在HC基底中(图1c)。进行了X射线吸收近边结构(XANES)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)测量,以进一步阐明Zn在Zn-HC中的分散状态和配位构型(图1e-g)。如图1e所示,Zn-HC的吸附边缘位置远离Zn箔,同时能量低于ZnO/ZnPc。在2.32Å处未检测到Zn-Zn键,这排除了Zn-HC中金属Zn的存在,并表明了Zn位点的良好原子分散性(图1f)。为了进一步验证Zn物种的原子色散,进行了EXAFS小波变换(WT)分析,因为它可以提供反向散射原子的径向距离和k空间分辨率(图1g)。与Zn箔中出现的≈7.0Å-1的Zn-Zn散射不同,Zn-HC仅显示出一个峰值,最大强度为≈4.2Å-1,这可归因于Zn-N的贡献,不包括可能形成的锌衍生纳米颗粒。此外,Zn-HC的Zn-EXAFS光谱与ZnPc的相似,表明它们具有类似的键合构型,并且Zn-HC和ZnPc在1.59Å和1.56Å处的第一个壳层主峰归因于Zn-N配位(图1f)。从各种表征技术中获得的参数在图1h中进行了比较,拉曼光谱进一步表明,与HC相比,Zn-HC的缺陷更少(ID/IG为0.97比1.04),这是因为Zn原子在煅烧过程中有效地催化了石墨化。制备的样品的孔结构和比表面积(SSA)通过氮(脱)吸附等温线进行评估,Zn-HC表现出富集的微孔结构,主要范围为0.8 nm至1.2 nm(图1i)。
图1 Zn-HC的形态结构表征和原子结构分析 (a)Zn-HC合成示意图。(b)SEM图像。(c)像差校正的HAADF-STEM图像。(d)HRTEM图像。(e)锌的K边缘XANES。(f)傅里叶变换EXAFS光谱。(g)小波k2加权EXAFS数据的变换。(h)ID/IG、Lc、La和d002的比较。(i)孔径分布比较。
样品的电化学性能通过使用传统的基于钠醚的电解质(1M NaPF6在二甘醇二甲醚中)操作的Na||HC半电池来揭示。首先,进行循环伏安法(CV)测量,以分析所制备的样品在0.01-2.0 V的电压范围内的电化学行为。Zn-HC和HC在0.01-2V电位窗口下的首次放电/充电(GCD)曲线如图2a所示,这两条曲线在放电曲线中都呈现出高于0.1V的倾斜区域和低于0.1V的平台区域。Zn-HC在0.05A g-1的电流密度下表现出创纪录的高可逆容量651/546 mAh g-1,相应的ICE为84%。此外,对Zn-HC和HC电极进行了倍率和循环测试(图2b,d),其中Zn-HC电极的充电容量在所有倍率下都高于HC电极,表明Zn-HC的超快速Na+反应动力学。此外,Zn-HC电极表现出优异的循环稳定性,在2 A g-1(305.3 mAh g-1)下循环3800次后容量保持率为90%,在5000次循环后(270.4 mAh g-1)容量保持率达85%(图2d)。这种高容量、倍率性能、循环稳定性和ICE优于文献中报道的最先进的负极材料,表明Zn-HC复合材料是一种很有前途的SIBs负极材料(图2c、e)。在-40°C下测试样品的低温(LT)性能,以模拟实际应用场景。在0.05 A g-1的电流密度下,Zn-HC获得了443 mAh g-1的显著高充电容量(图2f)。此外,Zn-HC电极在LT下保持稳定的循环性能(400次循环后为258 mAh g-1),容量保持率为85%(图2g)。相反,HC样品不能承受-40℃下100次循环的循环试验。这样的LT性能优于对照样品HC和用于SIBs的最先进负极材料(图2h),这可能归因于单原子Zn掺杂的结构可以优化电解质/电极界面,从而抑制Na枝晶的生长,并显著提高其LT循环稳定性。
图2 室温(25°C)下Zn-HC和HC的电化学表征。(a)0.05A g-1的电流密度下在0.01-2.00V的电势范围内GCD曲线的第一个循环。(b)倍率性能。(c)与先前报道的典型碳负极的倍率性能比较。(d)循环稳定性。(e)低温下(-40°C)ICE和循环次数与先前报道的典型碳负极的性能比较。(f)GCD曲线(第二个循环)。(g)循环稳定性。(h)低温下与先前报道的典型负极的容量比较。
使用透射电子显微镜(TEM)分析在RT下循环后SEI层的微观结构,在200次循环后,在Zn-HC表面形成的SEI层(5nm)的厚度比HC表面形成的厚度(11nm)薄得多(图3a-b),这有利于更快的界面Na+传输动力学,并有助于更高的ICE和倍率能力。HRTEM图像(图3a)显示Zn-HC电极的SEI层更均匀、更薄,可分为无定形外层和结晶无机内层,其中一些随机分布的纳米晶体具有0.24nm的晶格条纹距离,对应于NaF的(200)面(对应于图3a中的黄色矩形区域)。据报道,无机组分如NaF比有机组分具有更低的Na+扩散活化能(100-150meV),这有效地促进了界面Na+储存动力学并提高了SEI层的机械强度。令人惊讶的是,600次循环后,Zn-HC上的SEI层保持稳定,厚度在RT下几乎不变,均匀且薄的SEI膜与低且稳定的RSEI(SEI层中的电阻)值一致(图4a,c),这解释了快速的界面Na+储存动力学和在RT下稳定的长期循环。相反,对照样品具有较厚且不均匀的SEI层(~11nm),在RT下循环后200次具有混合的有机和无机成分(图3b)。这种简单混合的厚SEI既不能稳定HC电极,也不能抑制循环过程中SEI的重复形成。有趣的是,在LT下200次循环后,Zn-HC电极显示出更薄的SEI,厚度为3nm(图3c),这表明SEI厚度可能不是LT性能衰减的决定性因素。通过非原位XPS光谱分析了SEI层的成分,图3d是在Zn-HC和HC上形成的SEI层的F1s的XPS光谱,Na-F(683.7eV)可能来源于PF6-阴离子溶剂化物的还原分解。值得注意的是,Zn-HC表面的SEI层显示出比HC(12.1%)更高的Na-F浓度(25.4%)(图3d)。因此,在NaPF6二甘醇电解质中,可以在Zn-HC电极上形成薄而均匀的以NaF为主的SEI。研究表明,与空位缺陷(HC-SLG,2.55eV)相比,Zn-N4-C构型降低了Zn-HC表面P-F键断裂的离解能(Ed)(1.62eV)(图3e),表明Zn-N4-C构型促进了NaPF6的分解,并促进Na+与富电子的F反应,形成NaF化合物并均匀分散,这与Zn-HC电极上SEI层的F1s光谱一致(图3d)。
众所周知,SEI层中的Na+转移行为对整个电化学反应动力学具有显著影响。通常,溶剂化的Na+将去溶剂化并扩散穿过SEI,并且这种过程高度依赖于电解质和SEI化学。富含无机物的SEI层更致密、更可持续,可以有效保护电解质的进一步击穿,提高循环稳定性。特别是,NaF无机物种对Na+具有电子绝缘和低扩散势垒,这可以有效地防止电子进入SEI并促进Na+扩散动力学。此外,均匀分层的SEI也可能有利于Na+的去溶剂化行为。因此,由Zn掺杂诱导的Zn-HC电极上的这种均匀且薄的富含NaF的SEI结构可以实现电极/电解质界面上的快速电荷传输动力学。
另一方面,还进行了DFT计算,以了解Zn原子对Na+储存动力学的影响。图3h-i是Zn-HC和HC的微观结构特征,CINEB方法用于评估Na+迁移的能垒(Eb)(图3f)。正如预期的那样,与HC Gra(1.10eV)相比,Zn HC Gra表现出中等的吸收能和显著降低的Na+扩散能垒值(0.60eV),这有利于石墨畴中的快速本体Na+扩散,这是其优异倍率能力的主要因素之一。在图3g中还模拟和比较了不同环境下纳米孔中Zn-HC和HC的Na+吸附能(Ea)和Eb,这表明Zn-N4-C结构有利于石墨层和纳米孔中的Na+存储。为了深入了解这一现象,计算了Zn-N4-C构型周围的电荷密度差和相应的平面平均电荷密度。如图3h所示,青色和黄色区域分别指电子积累和耗尽,Zn-N4-C构型诱导从Zn到相邻N原子的不平衡电荷分布。最终,Zn-N4-C构型具有更富电子的环境,并触发作为促进剂的平面内局部电场(LEF),以增强Zn-HC的本体Na+存储动力学,如较低的扩散能垒(Eb,Zn-HC<Eb,HC)所证明的(图3g-h)。通过结合实验观察和DFT分析,提出了Zn-HC中Na+储存动力学增强的可能机制,如图3i所示。由于Zn-N4-C构型的界面催化和Zn-N4-C构型原位诱导的LEF贡献了超薄NaF聚合物SEI层,本体和界面Na+储存动力学都显著增强,导致Zn-HC电极具有前所未有的倍率性能和ICE。此外,中等的吸附能和强大的富含无机物的SEI可以抑制Na枝晶的形成,从而在LT环境下实现长循环性能。
图3 (a-b)Zn-HC和HC电极的HRTEM图像(0.1A g-1,第200次循环,25℃)。(c)Zn-HC电极的HRTEM图像(0.1A g-1,第200次循环,-40℃)。(d)在Zn-HC和HC上形成的SEI层的F1s的XPS光谱(0.1A g-1,2次循环,25℃)。(e)Zn-HC和HC电极界面的P-F键的键解离能(Ed)。(f)Zn-HC-Gra和HC-Gra的扩散势垒能(Eb)。(g)Zn-HC-Gra和HC-Gra的吸附能(Ea)和Eb。(h)Zn-HC-Gra的电荷密度差等值面和平面平均电荷密度图。青色和黄色区域分别是指电子积累和耗尽。等值面为0.0027e/Bohr3。(i)增强倍率性能机制的示意图。
进行了详细的电荷储存动力学分析,以全面了解样品在RT和LT下的钠储存机制。进行了恒电流间歇滴定技术(GITT)测试,以计算Na+扩散系数(DNa+),并评估25°C和-40°C下电极中的Na+储存动力学。电化学阻抗谱(EIS)测量用于研究Zn-HC/HC电极中的界面电荷转移动力学以及在25°C和-40°C下循环过程中SEI层的演变。Zn-HC和HC电极的特点奈奎斯特图如图4a-b所示,其中在所有这些光谱中识别出两个半圆和一条直线,表明Zn-HC电极和HC电极中的电化学过程相似。Rs对应于内阻,包括电解质溶液和电极的电阻,而高频和中频下的半圆分别归因于RSEI和Rct(包括Na+-脱溶剂化过程)。用等效电路对Rs、RSEI和Rct值进行量化(图4a-b)。如图4a-c所示,可以发现Zn-HC电极中的RSEI和Rct更稳定(<20Ω),并且在各种循环后大大低于HC。例如,在50次循环后,HC(70和44Ω)的RSEI和Rct在RT下分别是Zn-HC(8和14Ω)的8.75和3.14倍(图4c),验证了原子Zn掺杂可以在Zn-HC电极表面实现可持续稳定的SEI,并增强界面电荷转移动力学。还在-40°C下对Zn-HC和HC电极进行EIS测量。图4d奈奎斯特图中的局部放大图中Rs不断增加,表明溶剂化Na+在LT环境中的转移能力恶化,这可能归因于LT时电解质粘度的增加。有趣的是,Zn-HC和HC电极从RT到LT的RSEI变化很小,表明SEI组成不是影响LT电荷转移动力学的主要因素(图4d-e)。这与TEM分析中观察到的LT处的小SEI厚度非常一致(图3c)。相反,Zn-HC和HC电极的Rct值从RT到LT都显著升高(图4d-e),这表明在LT时Zn-HC电极中的Na+去溶剂化势垒显著增加,这可能是SIBs中LT电荷转移的速率决定步骤。这解释了这样一种现象,即使微观结构调节可以显著降低Zn-HC电极的RSEI,但LT下的倍率性能显著降低,这更多地取决于电解质的固有性质。EIS进一步证实,在LT时,Na+脱溶剂化势垒显著增加(图4f),表明Zn-HC的电荷转移过程的活化能(Eac,ct,Zn-HC=192meV)高于Na+在SEI中的输运(Eac、SEI、Zn-HC=81meV)(图4f)。值得注意的是,与HC(Eac,SEI,HC=100 meV,Eac,ct,HC=207 meV)相比,Zn-HC的Eac,SEI和Eac,ct(Eac、SEI,Zn HC=81 meV,Eac,ct、Zn HC=192 meV)都显著降低(图4f),表明通过Zn掺杂调节的HC微观结构可以有效地降低Na+在SEI上的活化能和Na+从电解质转移到电极的活化能。然而,另一个现象是不可忽视的,即Zn-HC和HC的Eac,ct值约为Eac的两倍,SEI表明电解质中固有的Na+去溶剂化可能是LT性能的主要原因,并可能影响LT下的倍率能力。尽管理想的薄而坚固的SEI和HC的优化本体结构可以提高LT环境下低倍率下的Na+储存和运输能力,但高倍率下的LT容量急剧下降,这可能归因于缓慢的Na+去溶剂化动力学和LT下电解质粘度的增加。因此,为了在宽温度范围内开发高性能SIBs,非常需要一种具有弱Na+-溶剂相互作用、低粘度和令人满意的SEI的先进电解质(图4g)。
图4 Zn-HC和HC在不同温度下的电荷储存动力学分析 (a-b)Zn-HC和HC电极在25°C下进行二电极操作EIS。(c)Zn-HC和HC电极在25°C下循环过程中的RSEI和Rct的演变。(d)在25°C和-40°C下循环10次后,使用Zn-HC和HC电极进行二电极操作EIS。(e)在25°C和-40°C下循环10次后,ZnHC和HC电极的Rs、RSEI和Rct的比较。(f)根据Zn-HC和HC电极的奈奎斯特图获得的Rct和RSEI的Arrhenius曲线和计算的活化能。(g)25°C和-40°C下电荷存储动力学行为的比较。
为了评估Zn-HC在二甘醇二甲醚基电解质中的实际应用可能性,组装了全电池,如图5a所示,使用Zn-HC作为负极,Na3V2(PO4)3(NVP)作为正极,并在25°C和-40°C下电流密度为0.05~10 A g-1,在1.5-3.9V的电势范围内进行测试。图5b表明,组装好的全电池可以为52个串联的发光二极管(LED)灯泡供电。需要注意的是,全电池在0.05 A g-1(基于负极材料的活性质量)下提供524 mAh g-1的高充电容量,25°C下的平均工作电位为3.3 V(图5c),对应于323 Wh kg-1的比能。此外,即使在25°C下的电流速率为10 A g-1(图5c),也能保持180 mAh g-1的高倍率容量,对应于7.02 kW kg-1的功率密度。此外,在25°C下,在650次循环中,在2 A g-1下可提供约206 mAh g-1的稳定容量(86%的容量保持率)(图5d)。总之,所获得的性能表明,所制造的Zn-HC/NVP系统具有优异的动力学和优异的稳定性,并且可以在需要高功率和宽温度范围的情况下找到广泛的应用(图5e-f)。
图5 (a)具有Zn-HC负极和Na3V2(PO4)3(NVP)正极的钠离子全电池示意图。(b)一个Zn-HC||NVP全电池可以点亮52个LED灯泡。(c)不同电流密度下的GCD曲线。(d)循环稳定性。(e-f)与先前报道的高能、高功率正极相比,Zn-HC电极的能量比较图和循环稳定性。
结论
总之,已经通过典型的两步工艺精心构建了掺入ZnN4构型的DAFR衍生的硬碳微球。合成的样品表现出优异的倍率性能、可逆容量(546mAh g-1@0.05A g-1、140mAh g-1@50A g-1)、低温(LT)容量(443mAh g-1@0.05A g-1)和ICE(84%),同时在SIBs中实现了能量密度(323Wh kg-1)和功率密度(7.02kW kg-1)之间的优异平衡。更重要的是,对HC电极在不同温度下的电荷存储机制有了基本的了解。作者认为,HC上的局部结构或SEI调制可以显著抑制RSEI和Rs,并有助于提高RT性能,而电解质的固有Na+迁移或去溶剂化能力代表了LT电荷转移动力学的速率决定步骤。本研究提供了一种新的策略来调节HC基材料复杂的界面电化学和电极化学,用于从RT到LT的高性能Na存储。
参考文献
Zinc Single-Atom Regulated Hard Carbons for High Rate and Low Temperature Sodium Ion Batteries. Zhixiu Lu, Jing Wang, Wuliang Feng, Xiuping Yin, Xiaochen Feng, Shengyu Zhao, Caixia Li, Ruixiao, Wang, Qiu-An Huang, Yufeng Zhao*.Advanced Materials.2023.
原文链接:
https://doi.org/10.1002/adma.202211461
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